[成都]北京理工大学中物院微系统与太赫兹研究中心2016招聘

发布时间：2016-10-14
工作地点：成都
信息来源：高校人才网
职位类型：全职
职位描述
中物院微系统与太赫兹研究中心，是面向国内外开放的高级科学技术研究中心，位于成都市双流区银河路596号（详见ww***.cn[点击查看]）。中心正在大力建设高水平科研队伍，面向国内外长期招聘半导体材料与物理、微电子、光电子与集成光子学、量子物理与量子信息、MEMS/NEMS、物理电子学、电路与系统、无线电物理、电磁场与微波技术、太赫兹器件、太赫兹通信、雷达与成像等领域的高级专家、优秀博士、硕士毕业生。

一、中心科研情况及专家招聘联系人：

李沫（limo@），谭为（tanwei@）邮件标题注明：应聘某某岗位 本人姓名

二、具体联系人：

1）综合设计支撑方向：

（1）熟悉系统不确定性量化、敏感性分析与优化设计方法；

（2）熟悉器件/电路/系统建模及模型参数提取方法；

（3）具有电路与系统设计经验，熟悉嵌入式系统设计，自动测试系统设计，软硬件协同技术等；

（4）熟悉SOC系统及数字模拟等芯片可测性设计方法；

（5）熟悉常用数据分析算法，熟悉matlab等数据计算和软件编程工具；

（6）具有半导体器件物理可靠性研究经历；

联系人：刘老师：liulifang@，电话028-65726005

2）MEMS方向：

（1）具备丰富的MEMS/NEMS器件设计、流片、建模，可靠性研究等相关经验，熟悉COMSOL、ANSYS等仿真与设计软件；

（2）或具有传感器与执行器检测控制算法设计、硬件电路设计等经验。

3）器件物理方向：

（1）具备扎实的器件物理基础，有建模（含代码实现）经历，会熟练使用器件数值模拟软件。

（2）熟悉半导体器件物理与基本工艺；能够熟练使用常见的半导体材料与器件测试设备。

（3）熟悉高能粒子与半导体材料的作用过程和机理，能熟练应用Geant4等相关模拟软件。

（4）熟悉电离总剂量效应和/或位移损伤效应的试验技术；熟悉效应加速试验技术。

（5）具有有限元、有限体积、微分方程积分格式与保结构格式、数值线性代数及预条件子技术、并行计算、非线性优化、应用数学（统计方向）、不确定性定量化以及随机建模分析等研究背景。

联系人：宋老师，邮箱：songyu@电话：18781990852

4）高压微系统方向：

（1）宽禁带半导体功率器件方向，在基于SiC、GaN的功率器件模拟与设计、半导体工艺等方面有深入研究经历;

（2）熟悉功率器件特性以及功率模块设计，熟悉功率器件/模块测试系统的搭建及使用；

（3）具有三维高密度集成设计的理论功率或丰富的工艺实验经验、了解功率器件集成及优化；熟悉各种仿真工具，包括多物理场仿真等工具.

联系人:李老师，lijuntao@电话：028-65726002

向老师，xiangan@电话：18502824715

5）SoC方向：

（1）半导体器件设计与工艺研究

（2）模拟与数字集成电路设计

（3）SOC系统集成设计

（4）系统架构设计

（5）嵌入式软件及算法设计

联系人：钟老师，zhongle@,电话：15984643733

6）量子与光电融合微系统方向：

（1）半导体光电器件、集成光子学、微纳光子学、低维光电结构、光学工程等方向

（2）量子信息、量子通信、量子光学

（3）冷原子与量子传感方向

联系人：陈老师，电话：028-65726015，邮箱：chenfeiliang@

姚老师，电话：028-65726010，邮箱：yaoyao@

7）第一性原理计算方向：

（1）熟悉半导体材料物理性质的第一性原理计算，有缺陷和杂质电子性质计算经验或化学反应相关参数计算；

（2）熟悉第一性原理计算的基本原理和算法，改进或编写过新的程序或者模块，开展过半导体材料激发态特性的相关计算或者算法；

联系人：王老师，邮箱：wangjianwei@，电话：028-65726010

8）微纳工艺平台方向：

具备半导体微纳加工工艺、MEMS微机电加工工艺、三维异质集成工艺、半导体集成电路封装相关工艺经验的硕士及以上学历的毕业生。

联系人：蒲老师，邮箱：puyingdong@，电话15982187355

9）太赫兹器件物理方向：

（1）具备半导体微纳加工和器件开发经历的博士毕业生；

（2）具备化合物半导体电路设计能力的硕士及以上学历的毕业生。

联系人：谭老师，邮箱：tanwei@），电话：028-65726051

10）太赫兹通信技术及雷达成像技术方向：

通信或雷达相关专业，熟悉太赫兹技术

联系人：林老师、刘老师，邮箱：mtrc03@

11）太赫兹器件、电路与微系统方向：

（1）熟练使用ADS、HFSS、ANSYS热/应力分析等相关专业软件，具有毫米波/太赫兹电路（如倍频器、混频器等）以及产品相关研发经验者优先。

（2）具有扎实的半导体器件和电路基础理论知识，熟悉射频、微波集成电路模块基本原理、设计技巧及关键参数，熟练应用ADS/Cadence/HFSS进行电路设计验证，具有化合物半导体集成电路设计经验者优先。

（3）具有三维封装微纳工艺经验以及封装可靠性设计与测试经验，熟悉ADS，HFSS，ANSYS和Cadence等电路、EM、多物理场和SiP仿真工具，了解射频和微波电路和信号完整性者优先。

联系人：mtrc03@

jo***.cn[点击查看]

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