[浙江]浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院金竹团队

职位：博士后
发布时间：2024-09-06
工作地点：其它
信息来源：高校人才网
职位类型：全职
职位描述
浙江大学杭州国际科创中心-先进半导体研究院-金竹团队-博士后-2024年招聘计划

共计1个岗位，招 若干人

科研资金 人才补贴

基本信息

发布时间：2024-09-06

截止日期：详见正文

学历要求：博士研究生

公告详情

一、平台简介

浙江大学杭州国际科创中心是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台。中心以打造世界一流水平、引领未来发展的全球顶尖科技创新中心为目标，以重大科研任务攻关和大型科技基础设施建设为主线，形成一批世界顶尖的基础学科群，建设一批世界顶尖的科学研究基础设施，汇聚一批世界顶尖的科学家和创新团队，产出一批具有影响力的重大共性技术成果，集聚一批具有世界竞争力的创新型产业集群，探索有利于基础研究、应用研究和产业发展全链条贯通的体制机制。

先进半导体研究院/金竹团队

本团队隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。该研究室在著名半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任为皮孝东教授，张辉教授指导。

课题组带头人：金竹“科创百人计划”研究员 （求是科创学者）

2021年博士毕业于浙江大学化学系，2023年加入浙江大学杭州国际科创中心，担任研究员（求是科创学者）。近五年承担/参与国自然青年基金，浙江省尖兵领雁计划，获得博士后创新支持计划、浙江省择优资助等。发表SCI论文10余篇，包括Science, CrystEngComm, J. Alloy Compound., Appl. Phys. Lett.，等国际知名专业期刊，担任IFM等期刊的审稿人。

重点引进方向

宽禁带半导体材料氧化镓相关研究（有半导体材料研究经验者即可）

方向1： 探索氧化镓材料中缺陷与杂质的基本性质

氧化镓生长过程中会产生位错，孪晶等多种缺陷，需要对这些缺陷的基本性质进行表征并阐明其机理。

方向2：探索氧化镓材料的掺杂与电学性能

优化掺杂元素种类、浓度等，调控材料电学性能。

方向3：探索氧化镓材料同质外延生长

探索氧化镓材料同质外延生长机理，提高外延薄膜质量

二、申请条件

1.近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；

2.保证全职从事博士后研究工作；

3.具有相关学科背景和科研经验，从事过交叉学科研究者优先考虑；

4.具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；

5.具有良好的英语听说读写能力；

三、待遇及保障条件

1.具体面议，同时可享受地方政府免税人才补助15万元/年（外籍人才可享受17.5万元/年。）；应届博士毕业生，符合条件者可额外享受10万元杭州市应届生人才补贴。

2.提供一流的实验与科学研究条件，共享浙江大学顶尖学术生态体系

3.提供专项科研经费支持；对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，分别给予相应配套资助和奖励；对生源优秀或取得标志成果的博士后，给予额外奖励（相关奖励可叠加）

4.符合条件的，可申报博士后海外引才专项，享受三年生活补助和安家费相关政策

5.表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心青年人才、技术研发等岗位

6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。

7.出站后留杭或萧山工作的，可申请杭州市D类人才或萧山区政府相应人才政策

8.符合条件者可享受科创中心人才房政策

9.协助解决子女教育入学、办理落户、政府人才配套用房申请、人才项目申报、人才认定等

10.提供一流的科研条件和博士后联谊会交流平台，享受园区一站式保障服务，如食堂、健身房、体育馆等

四、申请材料

1.个人简历；

2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；

3.博士学位论文。

申请人请将以上申请材料发送至联系人邮箱：jinzhuu@【快捷投递：点击下方“立即投递/投递简历”，即刻进行职位报名】

附件和邮件主题均以“邓天琪课题组 博士后/技术开发专家 姓名 ”标明

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