[广东]大湾区大学汪万林副教授与北京师范大学洪斌斌副教授联合课题组

职位：硅基光电子与IV族半导体有源器件方向博士后
发布时间：2026-07-07
工作地点：其它
信息来源：高校人才网
职位类型：全职
职位描述
“硅基光电子与IV族半导体有源器件”方向博士后招聘启事

共计1个岗位，招 若干人

基本信息

发布时间：2026-07-07

截止日期：详见正文

学历要求：博士研究生

需求学科（供参考）：
材料科学与工程, 物理学, 电子科学与技术, 光学工程

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公告详情

大湾区大学汪万林副教授与北京师范大学洪斌斌副教授联合课题组现联合招聘博士后2–3名，面向硅基光电子与IV族半导体有源器件前沿方向，开展从材料物理到器件实现的系统性研究。

本联合课题组聚焦“硅基集成光源—高速探测—电光调制”关键科学问题，探索IV族半导体与铁电氧化物异质集成的新型光电子物理机制与器件实现路径，面向未来硅光芯片与高速光互连应用。

一、研究方向：

申请人可围绕以下方向之一或多个开展研究：

1.IV族硅基光源：Ge/SiGe/GeSn发光材料与激光器

2.硅基光电探测器：Ge-on-Si、GeSn探测器及APD结构

3.硅基BaTiO?电光调制器与异质集成器件

4.GeSn/SiGeSn外延与量子结构（MQW、超晶格、应变工程）

二、联合实验室平台条件：

实验室具备从材料生长到器件验证的完整研究能力，支撑硅光与异质集成器件的系统开发。

在材料生长方面，配备IV族半导体分子束外延（MBE）系统，可实现Si/Ge/SiGe/GeSn/SiGeSn异质结构与量子结构的外延生长与应变调控。同时具备氧化物MBE与PLD系统，用于BaTiO?等铁电薄膜的高质量外延生长与电光性能调控研究。

在微纳加工方面，具备光刻、电子束曝光、薄膜沉积（蒸发、溅射、PECVD）、ICP刻蚀及湿法工艺等完整半导体加工能力，可实现硅光波导、微腔结构及异质集成器件的制备。

在材料与器件表征方面，配备XRD、SEM、AFM、TEM等结构表征手段，以及PL/EL光学测试、椭偏分析和I–V/C–V电学测试系统，并具备光电响应与硅光器件测试能力，实现从材料到器件的系统评估。

三、招聘要求

1.已获得或即将获得博士学位，专业包括物理学、材料科学、光学工程、电子工程或相关方向

2.具有半导体材料、微纳加工或光电器件研究背景者优先

3.熟悉外延生长、光电器件或集成光子学方向者优先

4.具备独立科研能力与英文论文写作能力

四、岗位支持

1.提供具有竞争力的博士后薪酬待遇（按大湾区大学及北京师范大学相关政策执行）

2.支持国家级博士后项目及青年人才计划申请

3.提供完整MBE 微纳加工 器件测试平台支持

五、联系方式

1.联合导师：

2.汪万林副教授（大湾区大学物质科学学院）邮箱：wangwanlin@

3.洪斌斌副教授（北京师范大学文理学院）邮箱：b.hong@

4.请提交材料：个人简历 代表论文 研究计划

邮件标题注明：应聘某某岗位 本人姓名

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