[南京]中锗科技有限公司

职位：单晶研发工程师（晶体生长）
发布时间：2026-10-30
工作地点：南京
信息来源：前程无忧(51JOB)
职位类型：全职
职位描述
专业1:材料类
专业2:材料与化工类
福利:晋升空间 包三餐 提供食宿 培训 出国机会 股票期权 弹性工作 包吃 包住 租房补贴 带薪年假 周末双休
职能类别:半导体工艺工程师
岗位职责
1、负责磷化铟（InP）单晶生长工艺研发、调试与量产优化，主导VGF、VB、LEC等主流长晶工艺的落地迭代，保障单晶生长良率、电阻率、位错密度等核心指标达标。
2. 负责长晶设备的日常工艺参数设定、监控、调整与复盘，精准把控温场、压力、生长速率、降温曲线等关键参数，解决长晶过程中出现的断晶、孪晶、气泡、杂质超标、位错过高等工艺异常问题。
3. 跟进磷化铟单晶原材料预处理、装炉、生长、出炉、冷却等全流程工艺管控，梳理标准化作业流程（SOP），规范生产操作，提升量产稳定性与一致性。
4. 负责新品规格、高纯度、低缺陷磷化铟单晶产品的工艺开发与试验验证，匹配光通信芯片、射频器件、红外探测、半导体激光等下游产品的材料需求。
5. 收集整理长晶生产数据，完成工艺数据分析、问题复盘、技术总结，输出试验报告、工艺优化方案，持续推进工艺降本、提质、提效。
6. 配合品质、生产、研发团队，完成产品性能检测、异常品质问题整改、客户技术对接，协助完成新产品导入与量产爬坡工作。
7. 负责长晶设备日常维护、故障排查配合，协助设备校准、技改升级，保障设备稳定运行

任职要求：
1、本科及以上学历，材料科学与工程、半导体材料、凝聚态物理、无机非金属材料、微电子等相关专业，优秀应届生可培养，有相关行业经验者优先；
2、熟悉磷化铟单晶生长原理，掌握VGF、LEC任意一种及以上InP长晶工艺，了解半导体单晶缺陷、电阻率、载流子浓度、位错密度等核心参数控制逻辑；
3、具备基础的数据分析能力，可通过生产数据复盘优化工艺，有磷化铟、砷化镓、锗、硅等半导体单晶长晶经验者优先。

注：提供食宿包三餐 入职缴纳五险一金 晋升空间大 公司简要介绍：
公司名称:中锗科技有限公司
公司类型:民营公司
公司规模:500-1000人
公司介绍:中锗科技有限公司成立于2012年12月，注册资金20000万元，坐落于南京市溧水经济开发区，厂区占地面积12万平方米， 是一家高新技术企业。
公司专业从事红外光学材料和半导体及相关元器件的研发、生产和销售，公司业务包含两大板块：一、以锗、磷化铟为代表的半导体衬底材料；二、以锗、硅为代表的红外光学材料和元器件。
公司凭借自身在新材料行业多年的积淀，先进的技术和完善的管理体系，为国内外众多客户提供先进高端新材料“全系列”、“一站式”服务。公司相关产品广泛应用于航空航天、红外光学、激光、通讯、安防等相关领域。
公司技术实力雄厚，技术装备先进，拥有设备200多台套先进制造和检测设备，公司现拥有20多项自主知识产权的先进专利技术，员工200多名，并拥有多名博士、硕士和数十名相关专业工程技术人员组成的技术和研发团队。
公司借着雄厚的技术实力、完善的设备、稳定过硬的品质、良好的售前/售中/售后服务，营销网络遍布五大洲。公司拥有ISO9001:2015质量管理体系和ISO14001:2015环境管理体系认证，为南京市安全生产标准化三级达标企业。