工作职责
1.负责trench型&SGT型MOSFET器件产品设计与电特性仿真；
2.制定trench型&SGT型MOSFET器件单项工艺开发目标并持续优化；
3.整合trench型&SGT型MOSFET器件设计和工艺条件，完成器件研制总体方案；
4.熟悉产品开发流程，跟进产品研制进程，整理并完成各阶段技术文件总结和归档。

任职资格
1.硕士及以上学历，微电子科学与工程、集成电路设计与集成系统、电子科学与技术、物理学（半导体方向）等相关专业；
2.具备MOSFET等功率半导体器件设计或工艺开发经验；
3.对新产品开发有浓厚兴趣，执行力和抗压能力强，有较好沟通能力；
4.具备良好的逻辑分析能力、跨部门协作意识及技术文档编写能力。