岗位描述
负责 NAND Flash 颗粒的电学、性能、可靠性表征与特性分析，开展颗粒摸底测试、边界特性研究、失效机理分析，支撑存储产品 NPI 导入、颗粒选型评估、量产品质管控，定位并解决产品研发及客户端出现的 NAND 相关问题，输出专业特性分析报告，为固件、模组、测试团队提供颗粒底层数据支撑。
岗位职责
1.依据 JEDEC 标准及原厂规格书，设计 NAND Flash 颗粒表征测试方案，完成顺序 / 随机读写、读写延迟、功耗、高低温、电压裕量、读干扰、写干扰、数据保持、P/E 循环耐久等多维度测试，采集并分析测试数据，输出颗粒特性评估报告。
2.研究不同工艺 NAND（SLC/MLC/TLC/QLC）的底层特性差异，挖掘颗粒极限工作边界、失效规律，评估不同批次、不同原厂颗粒的一致性，建立 NAND 颗粒特性数据库，输出颗粒选型建议。
3.针对可靠性测试、ATE 测试、客户端失效样品开展电性失效分析 (EFA)，结合测试 Pattern、日志、BITMAP 定位失效模式，分析失效根因，输出 FA 报告，联动固件、测试、工艺团队推动问题闭环改善。
4.搭建与维护 NAND 颗粒自动化测试平台，开发 Python/Tcl 自动化测试脚本，优化测试用例与实验流程，提升表征测试效率；跟踪 NAND 前沿技术（3D NAND）、JEDEC 最新规范，沉淀技术文档与分析方法论。
5.协同固件、硬件、产品、客户技术团队，解决模组开发、量产、客户端场景下 NAND 相关的稳定性、性能、寿命类问题，支撑新产品导入与客诉技术定位。
6.参与 NAND 相关技术预研，评估新型 NAND 颗粒特性，预判潜在风险，支撑下一代存储产品方案设计。
任职要求
1.硕士及以上学历，微电子、集成电路、电子信息、半导体材料等相关专业。
2.扎实半导体物理、数字电路基础；熟悉 3D NAND Flash 存储原理、存储单元工作机制、JEDEC NAND 标准优先。
3.具备实验设计、数据建模与分析能力，熟练使用 Excel 进行数据处理；掌握 Python/Tcl 脚本开发，有存储测试平台开发经验优先。
4.具备硬件调试基础，能看懂测试波形，会使用示波器、逻辑分析仪、存储 ATE 等测试设备者优先。
5.英文读写良好，可独立阅读 NAND datasheet、JEDEC 标准、英文技术文献。
6.较强逻辑推理、问题溯源能力，严谨细致，良好文档撰写、跨团队沟通能力；有 NAND/Flash 颗粒表征、失效分析相关课题或项目经验优先。
加分项
?熟悉 3D NAND 的电荷俘获、读干扰、数据保持、P/E 衰减等失效机理；
?有 NAND 颗粒测试、BITMAP 分析、EFA 电性失效分析相关实习 / 项目经验；
?了解 FTL 闪存转换层基本原理。