重庆三安半导体有限责任公司

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重庆三安半导体有限责任公司2024届校园招聘

 

• 公司简介

三安光电股份有限公司（证券代码：600703）是目前国内成立最早、规模最大、品质最好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产业化生产基地，产品性能指标居国际先进水平。

湖南三安半导体有限责任公司是三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），公司于2020年7月注册成立，业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。项目总投资160亿，总占地面积1000亩，建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。

重庆三安半导体有限责任公司成立于2023年7月8日，安意法半导体有限公司成立于8月13日，重庆项目总投资310亿，SIC8英寸工厂。其中重庆三安是湖南三安在重庆全资SIC8英寸衬底项目，计划投资70亿人民币，一期实现年产8寸导电衬底26万片/年，二期实现52万片/年。安意法是湖南三安与意法半导体在渝合资碳化硅项目，计划投资32亿美元，从事碳化硅外延及芯片生产。

二、招聘岗位

岗位类别	岗位	岗位要求	薪资待遇
研发技术类	芯片研发工程师	硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料研发方向优先考虑。	硕士：15-25w/年 博士：40-50w/年
	长晶研发工程师	硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料研发方向优先考虑。	硕士：15-25w/年 博士：40-50w/年
	晶圆研发工程师	硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料研发方向优先考虑。	硕士：15-25w/年 博士：40-50w/年
	外延研发工程师	硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料外延研发方向优先考虑。	硕士：15-20w/年 博士：40-50w/年
	应用研发工程师	硕士及以上学历，电气、自动化控制、可靠性等相关专业等相关专业，电力电子方向优先考虑。	硕士：15-25w/年 博士：40-50w/年
	功率模块研发工程师	硕士及以上学历，微电子、电子科学与技术、材料、物理、等相关专业，SiC/IGBT材料或模块设计等研究方向优先考虑。	硕士：15-20w/年 博士：40-50w/年
生产技术类	长晶/晶圆/外延/芯片工艺工程师	本科/硕士学历，微电子、电子科学与技术、半导体物理、凝聚态物理、材料物理与化学、化学、学等相关专业。	本科：8-10w/年 硕士：15-20w/年
	芯片制程整合工程师	硕士及以上学历，微电子、电子科学与技术、半导体物理、凝聚态物理、材料物理与化学、化学、学等相关专业。	硕士：15-20w/年
	测试工程师	本科学历，数学、统计、材料、物理、化学等相关专业。	本科：8-10w/年
	设备工程师	本科学历，机械、电气、自动化等相关理工科专业。	本科：8-10w/年

三、薪酬福利

1.公司提供有竞争力的薪酬待遇；

2.购买五险一金；

3.提供免费员工宿舍，运动和娱乐场所齐全；

4.自办食堂，提供免费工作餐；

5.员工依法享受公休日、法定节假日、带薪年休假、婚假等假期；

6.生日福利、过节福利、各类培训、内部竞聘、年终奖等；

7.股权激励，内部人才房购买政策；

8.技术岗位、管理岗位、行政岗位等晋升通道及各项发展培训。

四、职业晋升通道

专家成长线   初级技师→中级技师→高级技师→资深专家→权威专家

管理成长线   组长/课长→副理/经理→一级主管/总助→副总/总监→总经理

技术成长线   助理工程师→工程师→中级工程师→资深工程师

行政成长线   职员→主办→三级专员→二级专员→一级专员

五、招聘流程：投递简历→初试→复试→发放offer→签订三方协议→入职

六、联系方式

联系电话：023-86689866

招聘邮箱：hr-cq@sa***com

公司地址：重庆市沙坪坝区富康新城（项目初建，办公地是临时办公地，在建工厂在临时办公地对面）

企业简介
重庆三安半导体有限责任公司2024届校园招聘一、公司简介三安光电股份有限公司（证券代码：600703）是目前国内成立最早、规模最大、品质最好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产业化生产基地，产品性能指标居国际先进水平。湖南三安半导体有限责任公司是三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），公司于2020年7月注册成立，业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。项目总投资160亿，总占地面积1000亩，建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。重庆三安半导体有限责任公司成立于2023年7月8日，安意法半导体有限公司成立于8月13日，重庆项目总投资310亿，SIC8英寸工厂。二、招聘岗位岗位类别岗位岗位要求薪资待遇研发技术类芯片研发工程师硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料研发方向优先考虑。硕士：15-25w/年博士：40-50w/年长晶研发工程师硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料研发方向优先考虑。硕士：15-25w/年博士：40-50w/年晶圆研发工程师硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料研发方向优先考虑。硕士：15-25w/年博士：40-50w/年外延研发工程师硕士/博士学历，半导体物理、材料、物理、等相关专业，SiC/GaN/Si材料外延研发方向优先考虑。硕士：15-20w/年博士：40-50w/年应用研发工程师硕士及以上学历，电气、自动化控制、可靠性等相关专业等相关专业，电力电子方向优先考虑。硕士：15-25w/年博士：40-50w/年功率模块研发工程师硕士及以上学历，微电子、电子科学与技术、材料、物理、等相关专业，SiC/IGB