[苏州]苏州实验室信息材料研究部

职位：2024招聘
发布时间：2024-06-08
工作地点：其它
信息来源：高校人才网
职位类型：全职
专业标签：法学 化学 材料类 物理学 仪器仪表 光学工程
职位描述
苏州实验室信息材料研究部2024年招聘公告

共计32个岗位，招 69人

五险一金 节日福利 定期/免费体检 提供住房公寓

基本信息

发布时间：2024-06-07

截止日期：详见正文

学历要求：硕士研究生及以上

公告详情

苏州实验室作为经中央批准成立的新型科研事业单位，设在苏州工业园区。实验室以“四个面向”为根本遵循，围绕“战略性产品、战略性产业、未来科技”发展中重大材料科学和关键技术问题，强化战略性结构材料、功能材料和前沿材料的突破，打造材料领域大科学装置和AI计算设计平台，开展战略性、前瞻性、基础性研究工作，努力建成世界一流实验室。

信息材料研究部围绕国家安全和未来高技术竞争、重大产业的竞争力和可持续发展、抢占未来制高点的超宽禁带半导体和新型器件，布局先进半导体材料、集成电路关键材料、集成光电材料三大领域，同时正在逐步建设材料生长、光刻、镀膜、刻蚀、掺杂改性、封测、仿真等7大技术方向的工艺能力体系，建立材料原子层级可控的外延技术，构建原位精准观测技术，实现器件原子级精准构筑，开展集材料生长、器件加工、系统集成、测试分析于一体的最前沿、最核心、最亟需的技术研发。

诚邀海内外材料领域青年人才，踊跃加盟！

一、招聘基本条件

1.具有突出的创新能力和发展潜力；具有远大的学术志向、求是的创新精神、卓越的科研能力和社会责任感；

2.身体健康，心理素质良好，具有较好的学习能力和抗压能力；

3.具有岗位所需的专业知识和相关经验；

4.年龄不超过35周岁（1989年1月1日后生），领军人才年龄不超过45周岁（1979年1月1日后生），特别优秀的可适当放宽。

二、支持条件

有竞争力的薪酬：领军人才薪酬一事一议；应届博士毕业提供年薪40万起，同时可享受地方各级人才津贴支持。

优质科研条件：配备一流的科研条件保障，提供充足稳定的科研经费支持。

良好成长生态：优先支持申报各级各类人才项目，并享受相应的政策优惠，纳入实验室科研评聘体系。

配套政策保障：提供过渡人才公寓保障，协助解决子女入学等生活需求；提供五险一金、节日福利、年度体检与度假等福利待遇。

三、应聘方式

请申请人将以下材料发送至邮箱：hr@（邮件请命名为“方向 岗位名称 姓名 ”）。【快捷投递：点击下方“立即投递/投递简历”，即刻进行职位报名】

1.应聘登记表；

2.身份证，学历学位证书；

3.学位论文摘要、已发表的著述、论文全文，以及其它可证明本人能力及水平的相关资料。

应聘材料投递全年受理。

联系人：赵老师

联系电话：0512-62980108

招聘岗位内容

研究方向岗位名称招聘人数岗位职责任职要求

先进半导体材料方向 材料生长与装备领军人才 2 负责GaN、AlN、SiC等宽禁带半导体材料，Ga2O3、金刚石等超宽禁带半导体，及其他材料的生长领域以及材料生长相关装备领域的战略研究和发展规划，开展高质量科学研究，推动解决半导体材料生长与装备的关键科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上材料生长与装备相关研究经历，在半导体材料生长与装备领域取得过具有行业影响力的标志性成果； 3.能够准确把握学科动态和发展方向，具有优良的科技领军创新才能和优秀的团队管理能力。

材料生长与装备青年科技人才 10 1.开展GaN、AlN、SiC等宽禁带半导体材料，Ga2O3、金刚石等超宽禁带半导体及其他材料的高质量生长领域以及材料生长相关装备领域的相关科学研究； 2.协助学科带头人进行半导体材料生长与装备相关研究项目工作； 3.协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.有半导体材料生长研究的相关经验，取得过优秀的科研成果，从事过半导体材料生长与装备相关研究工作者优先。

先进光电材料与应用领军人才 5 负责先进光电材料与应用领域的战略研究和发展规划，开展高质量科学研究，推动解决先进光电材料与应用的关键科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上先进光电材料与应用相关研究经历，有深厚的专业技术水平和研发能力，在先进光电材料与应用领域取得过具有行业影响力的标志性成果； 3.能够准确把握学科动态和发展方向，引领相关学科发展；具有优良的科技领军创新才能和优秀的团队管理能力。

先进光电材料与应用青年科技人才 10 1.开展先进光电材料与应用领域的相关科学研究，推动解决先进光电材料、技术与应用的关键科学与工程问题； 2.协助学科带头人进行先进光电材料开发与应用等研究项目工作，完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.有光电材料相关研究经验，取得过优秀的科研成果，从事过先进光电材料与应用相关研究工作者优先。

理论计算与仿真模拟领军人才 2 负责三代半导体器件理论计算与仿真模拟领域的战略研究和发展规划，从第一性原理深入开展高质量科学研究，推动解决三代半导体材料理论计算与仿真模拟的关键科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上理论计算与仿真模拟相关研究经历，有深厚的专业技术水平和研发能力，在半导体材料理论计算与仿真模拟领域取得过具有行业影响力的标志性成果。 3.能够准确把握学科动态和发展方向，引领相关学科发展；具有优良的科技领军创新才能和优秀的团队管理能力。

理论计算与仿真模拟青年科技人才 5 1.开展理论计算与仿真模拟领域的相关科学研究，推动解决理论计算与仿真模拟的关键科学与工程问题； 2.协助学科带头人进行理论计算与仿真模拟等研究项目工作，协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.具有3年以上理论计算与仿真模拟的相关经验，熟练使用计算编程工具如python、仿真工具Sentaurus、Silvaco之一，并能根据物理模型存在的问题进行修改完善，在国外核心期刊上发表过本领域若干论文者优先。

工艺工程师 10 1.开展材料生长、光刻、镀膜、刻蚀、掺杂改性、封测等工艺开发研究，工艺段的异常分析和处理，与器件工程师合作沟通改进工艺； 2.负责相关设备的运行、操作、维护和使用管理； 3.配合完成相关项目工艺研发和验证实验。 1.具有硕士研究生及以上学历； 2.具有半导体或集成电路相关工艺研发工作经验者优先；

集成电路关键材料方向 理化测试分析平台领军人才 1 1.围绕理化测试分析平台建设任务，开展高质量科学研究，包括方法学、设备及相关材料研究； 2.负责理化测试分析平台管理运营工作，在科研能力建设、技术团队培养、创新实践合作等方面发挥引领作用； 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学、理化分析等相关专业； 2.具有深厚的专业技术水平和研发能力，在相关领域内取得过具有影响力的标志性成果；

光刻材料领军人才 1 1.围绕最前沿光刻材料研究任务，开展高质量科学研究，包括工艺、设备及相关材料研究； 2.负责光刻材料研发工作，在科研能力建设、技术团队培养、创新实践合作等方面发挥引领作用； 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学、光刻材料等相关专业； 2.具有深厚的专业技术水平和研发能力，具有DUV光刻、和/或电子束光刻（e-beamlithography；EBL）等相关研究经验。

光刻工程师 1 1.参与光刻工艺、设备及相关材料的研发工作； 2.负责监控和调整光刻工艺参数，编写光刻工艺文件，包括操作规程、标准作业程序等； 3.协助光刻方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作； 4.完成光刻方向负责人交办的其他事务。 1.具有硕士研究生及以上学历，材料、物理、化学、电气工程等相关专业； 2.具有2年以上光刻经验，在半导体行业或科研院所从事光刻工艺研发或光刻材料表征等相关工作。

工艺整合工程师 1 1.负责公共测试服务平台光刻评价/理化测试分析等相关工艺整合工作； 2.对接平台业务需求，评估工艺可行性、工艺流程制定、异常分析、问题反馈及报告整理等相关工作； 3.协助光刻/测试工程师开展工艺调试及开发； 4.完成平台负责人交办的其他事务。 1.具有硕士研究生及以上学历，材料、半导体物理等相关专业； 2.具有2年以上半导体工艺整合或工艺研发经验，熟悉集成电路工艺制造流程，具备技术调研和数据分析能力； 3.具有集成电路行业背景或12寸FAB制程经验者优先。

理化分析测试工程师（电感耦合等离子体质谱方向） 1 1.负责电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）及相关质谱、光谱设备的日常测试、数据分析、技术开发、撰写设备SOP； 2.负责电感耦合等离子体质谱仪及相关质谱、光谱设备的安装、调试、培训、维护及运行； 3.协助专用理化平台搭建及分析表征技术开发，建立分析测试规范； 4.完成平台负责人交办的其他事务。 1.具有硕士研究生及以上学历，分析化学、材料、仪器仪表等相关专业； 2.具有电感耦合等离子体质谱仪及相关质谱、光谱设备使用操作、数据分析和日常维护经验。

理化分析测试工程师（核磁共振波谱方向） 1 1.负责核磁共振波谱仪（NMR）及相关谱学设备的日常测试、数据分析、技术开发、撰写设备SOP； 2.负责核磁共振波谱仪及相关谱学设备的安装、调试、培训、维护及运行； 3.协助专用理化平台搭建及分析表征技术开发，建立分析测试规范； 4.完成平台负责人交办的其他事务。 1.具有硕士研究生及以上学历，分析化学、材料、仪器仪表等相关专业； 2.具有核磁共振波谱仪及相关谱学设备使用操作、数据分析和日常维护经验。

理化分析测试工程师（液相色谱方向） 1 1.负责高效液相色谱仪（HPLC）及相关谱学设备的日常测试、数据分析、技术开发、撰写设备SOP； 2.负责高效液相色谱仪及相关谱学设备的安装、调试、培训、维护及运行； 3.协助专用理化平台搭建及分析表征技术开发，建立分析测试规范； 4.完成平台负责人交办的其他事务。 1.具有硕士研究生及以上学历，分析化学、材料、仪器仪表等相关专业； 2.具有高效液相色谱仪及相关谱学设备使用操作、数据分析和日常维护经验。

刻蚀工艺工程师 1 1.负责刻蚀设备及相关设备的日常测试、数据分析、技术开发、撰写设备SOP； 2.负责刻蚀设备及相关设备的安装、调试、培训、维护及运行； 3.协助专用理化平台搭建及分析表征技术开发，建立分析测试规范； 4.完成平台负责人交办的其他事务。 1.具有硕士研究生及以上学历，材料、半导体物理等相关专业； 2.具有2年以上刻蚀经验，熟练掌握相关仪器和设备，具有集成电路行业背景或12寸FAB制程经验者优先。

ALD前驱体领军人才 1 围绕最前沿前驱体材料研究任务，开展基于沉积技术的前驱体研究，包括工艺、设备及相关材料研究。 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学等相关专业； 2.具有深厚的专业技术水平和研发能力，在相关领域内取得过具有影响力的标志性成果。

ALD前驱体材料工艺青年科技人才 1 1.围绕最前沿前驱体材料研究任务，开展基于沉积技术的前驱体材料工艺研究； 2.协助ALD前驱体方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作； 3.完成方向负责人交办的其他事务。 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学等相关专业； 2.在相关领域范围内具有丰富的研究经验或突出特长，取得过重要成果。

半导体3D封装材料领军人才 1 围绕最先进半导体3D封装材料研究任务，开展半导体3D封装研究，包括工艺、设备及相关材料研究。 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学等相关专业； 2.具有深厚的专业技术水平和研发能力，在相关领域内取得过具有影响力的标志性成果。

半导体3D封装工艺青年科技人才 1 1.围绕最先进半导体3D封装材料研究任务，开展半导体3D封装工艺研究； 2.协助半导体3D封装材料方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作； 3.完成方向负责人交办的其他事务。 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学等相关专业； 2.在相关领域范围内具有丰富的研究经验或突出特长，取得过重要成果。

半导体3D封装设备青年科技人才 1 1.围绕最先进半导体3D封装材料研究任务，开展半导体3D封装设备研究； 2.协助半导体3D封装材料方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作； 3.完成方向负责人交办的其他事务。 1.具有博士学位，材料科学、材料物理与化学等相关专业； 2.在相关领域范围内具有丰富的研究经验或突出特长，取得过重要成果。

集成光电材料 异质集成光电材料与器件领军人才 1 负责柔性衬底与多种传感材料异质集成、传感材料和器件与硅基光电集成电路异质集成的战略研究和发展规划，开展高质量科学研究，推动解决异质集成关键材料与器件的重大科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上异质集成芯片相关研究经历，有深厚的专业技术水平和研发能力，在半导体材料异质结、单片异质集成器件、光电集成芯片等领域取得过有行业影响力的标志性成果。

异质集成光电材料与器件青年科技人才 1 1.开展柔性衬底与多种传感材料异质集成、传感材料和器件与硅基光电集成电路异质集成的相关科学研究，推动解决异质集成关键材料与器件的科学与工程问题； 2.协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.从事过光电传感材料研究者优先、从事过半导体异质结研究者优先、从事过光电集成芯片研究工作者优先。取得过优秀的科研成果者优先。

硅基异质外延材料与器件领军人才 1 负责硅基衬底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半导体材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半导体材料的战略研究和发展规划，开展高质量科学研究，推动解决硅基异质外延材料与器件的关键科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上硅基异质外延材料与器件相关研究经历，有深厚的专业技术水平和研发能力，在硅基异质外延材料与器件领域取得过具有行业影响力的标志性成果。

硅基异质外延材料与器件青年科技人才 1 1.开展硅基衬底上外延GaAs、InP、GaN、AlN等Ⅲ/Ⅴ族半导体材料，以及硅基外延Ge、石墨烯等Ⅳ族半导体材料的相关科学研究，推动解决硅基异质外延材料与器件的关键科学与工程问题； 2.协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.有硅基异质外延材料与器件的相关经验，取得过优秀的科研成果，从事过异质外延相关研究工作者优先。

红外量子点材料领军人才 1 负责红外量子点材料生长领域以及材料应用相关领域的战略研究和发展规划，开展高质量科学研究，推动解决红外量子点材料生长与应用的关键科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上红外量子点材料相关研究经历，有深厚的专业技术水平和研发能力，在红外量子点材料领域取得过具有行业影响力的标志性成果。

红外量子点材料青年科技人才 1 1.开展红外量子点材料的高质量生长以及材料应用相关科学研究，推动解决红外量子点材料生长与应用的关键科学与工程问题； 2.协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.有红外量子点材料研究的相关经验，取得过优秀的科研成果，从事过相关器件研究的工作者优先。

感存算一体材料与器件领军人才 1 负责光学感存算一体材料与器件工作机理、制备工艺及相关器件领域的战略研究和发展规划，开展高质量科学研究，推动解决光学感存算一体材料生长与器件应用的关键科学与工程问题。 1.具有博士学位； 2.具有8年以上存储材料或相变材料相关研究经历，有深厚的专业技术水平和研发能力，在存算一体领域取得过具有行业影响力的标志性成果。

感存算一体材料青年科技人才 1 1.开展光学感存算一体材料工作机理、制备工艺及相关器件以及创新应用相关科学研究，推动解决光学感存算一体材料生长与应用的关键科学与工程问题； 2.协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位； 2.有感存算一体材料研究的相关经验，取得过优秀的科研成果，从事过相关器件研究的工作者优先。

纤锌矿宽禁带铁电材料生长和工艺技术高级工程师/副研究员 1 1.使用国际先进原子层沉积、磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积等材料生长机台，完成纤锌矿宽禁带铁电材料的生长技术研究工作，达到项目所需的交付指标； 2.使用国际先进球差电镜、电子隧穿显微镜、电子扫描显微镜、铁电分析仪、XRD、SIMS、XPS、AFM等材料表征设备，完成纤锌矿宽禁带铁电材料组分分析、晶格匹配、铁电反转等机理分析工作； 3.完成一整套的纤锌矿宽禁带铁电薄膜的生长参数优化、工艺包建立、一致性检测的工作； 4.协助方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作。 1.具有博士学位，材料科学、半导体技术、微电子科学、材料物理与化学等相关专业； 2.在宽禁带铁电材料生长相关领域范围内具有丰富的研究经验或突出特长，取得过重要成果； 3.具有海外学习工作经历者、工业界工作经验者、国际先进研究单位（比利时IMEC、新加坡IME、法国CEALeti、美国3D铁电中心、德国弗朗霍斯特研究中心等）经验者优先。

纤锌矿宽禁带铁电材料器件和阵列制备高级工程师/副研究员 1 1.完成基于纤锌矿宽禁带铁电材料的FeFET和FeCAP的器件设计、工艺设计、器件制备、电学测试和可靠性测试的工作，达到项目所需的交付指标； 2.完成基于纤锌矿FeFET和FeCAP的阵列设计、工艺技术、阵列制备、电学测试、存储功能测试和可靠性测试的工作； 3.完成一整套的纤锌矿FeFET和FeCAP阵列的工艺设计、工艺集成、电学测试方法和器件阵列一致性检测的工作； 4.协助方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作。 1.具有博士学位，材料科学、半导体技术、微电子科学、材料物理与化学等相关专业； 2.在宽禁带铁电材料FeFET和FeCAP相关领域范围内具有丰富的研究经验或突出特长，取得过重要成果； 3.具有海外学习工作经历者、工业界工作经验者、国际先进研究单位（比利时IMEC、新加坡IME、法国CEALeti、美国3D铁电中心、德国弗朗霍斯特研究中心等）经验者优先。

纤锌矿宽禁带铁电材料器件TCAD仿真验证工程师/助理研究员 1 1.结合半导体器件制备经验，使用国际主流半导体器件计算机辅助设计软件，完成纤锌矿宽禁带铁电材料的FeFET和FeCAP的器件建模、TCAD仿真验证工作，达到项目所需的交付指标； 2.完成纤锌矿FeFET和FeCAP中掺杂浓度、薄膜组分、薄膜厚度、矫顽电场等DOE设计、TCAD仿真验证、数据分析、指导实验计划的工作； 3.完成一整套的纤锌矿FeFET和FeCAP阵列的结构设计、工艺集成、电学测试方法和器件阵列一致性检测的模拟仿真工作； 4.协助方向负责人完成相关科研项目的规划布局、平台建设、技术攻关等工作。 1.具有博士学位，材料科学、半导体技术、微电子科学、材料物理与化学等相关专业； 2.具有3-5年半导体新型器件微纳制备经验；在宽禁带铁电材料FeFET和FeCAP相关领域范围内具有相关研究经验或突出特长，取得过重要成果； 3.具有海外学习工作经历者、工业界工作经验者、国际先进研究单位（比利时IMEC、新加坡IME、法国CEALeti、美国3D铁电中心、德国弗朗霍斯特研究中心等）经验者优先。

宽禁带、超宽禁带半导体材料生长和设备开发高级工程师/副研究员 1 1.使用国际先进原子层沉积、分子束外延、激光脉冲沉积等材料生长机台，完成宽禁带、超宽禁带材料的生长技术研究工作，达到项目所需的交付指标； 2.进行宽禁带、超宽禁带材料半导体核心设备的改造开发和国产验； 3.完成一整套的宽禁带、超宽禁带材料的生长参数优化、工艺包建立、一致性检测的工作； 4.协助方向负责人进行材料生长与装备相关研究项目工作，协助完成科研技术项目的规划布局、技术攻关、平台建设、运行推进等内容。 1.具有博士学位，材料科学、半导体技术、微电子科学、材料物理与化学等相关专业； 2.在宽禁带、超宽禁带材料生长相关领域范围内具有丰富的研究经验或突出特长，取得过重要成果； 3.具有海外学习工作经历者、工业界工作经验者、国际先进研究单位（比利时IMEC、新加坡IME、法国CEALeti、美国3D铁电中心、德国弗朗霍斯特研究中心等）经验者优先。

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重要风险提示：如招聘单位在招聘过程中向求职者提出收取押金、保证金、体检费、材料费、成本费，或指定医院体检等，求职者有权要求招聘单位出具物价部门批准的收费许可证明材料，若无法提供相关证明，请求职者提高警惕，有可能属于诈骗或违规行为。