[长沙-岳麓区]湖南三安半导体有限责任公司

职位：SiC外延研发工程师（应届博士）
发布时间：2024-09-04
工作地点：其它
信息来源：前程无忧(51JOB)
职位类型：全职
专业标签：物理学 材料类
职位描述
职能类别:半导体工艺工程师
工作职责:
1.负责SiC/GaN EPI的新产品开发与导入；
2.负责与前后段沟通，制定新产品的技术规格；
3.负责SiC/GaN EPI的新技术评估与开发。

任职资格:
博士学历，半导体物理、材料、物理等相关专业，Si/SiC/GaN材料外延生产向优先考虑。 公司简要介绍：
公司名称:湖南三安半导体有限责任公司
公司类型:民营公司
公司规模:1000-5000人
公司介绍:湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶（SiC）——衬底制作（SiC）——外延生长——芯片制备——封装产业链，研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。